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J-GLOBAL ID:200903086366200441
光メモリ素子
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
長谷川 曉司
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999351541
Publication number (International publication number):2001176274
Application date: Dec. 10, 1999
Publication date: Jun. 29, 2001
Summary:
【要約】【課題】 安価かつ早期に製造でき、限られた体積でより大容量の情報を保持できる光メモリ素子を提供する。【解決手段】 基体の少なくとも一面に、樹脂製クラッド層と樹脂製コア層からなりかつ両層の界面に凹凸部が設けられてなる樹脂製クラッド/コア部材が2以上直接積層されてなることを特徴とする光メモリ素子。
Claim (excerpt):
基体の少なくとも一面に、樹脂製クラッド層と樹脂製コア層からなりかつ両層の界面に凹凸部が設けられてなる樹脂製クラッド/コア部材が2以上積層されてなることを特徴とする光メモリ素子。
IPC (3):
G11C 13/04
, G02B 6/12
, G03H 1/00
FI (3):
G11C 13/04 Z
, G03H 1/00
, G02B 6/12 Z
F-Term (11):
2H047KA03
, 2H047KA11
, 2H047KB08
, 2H047QA05
, 2H047QA07
, 2H047RA00
, 2H047TA00
, 2K008AA04
, 2K008CC03
, 2K008EE07
, 2K008GG05
Patent cited by the Patent:
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