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J-GLOBAL ID：200903086371489948

半導体メモリ装置

Inventor： 知識 茂雄
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992001015
Publication number (International publication number)：1993182461
Application date： Jan. 07, 1992
Publication date： Jul. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】 チップ面積を大きくすることなく電源マージンを向上することのできる半導体メモリ装置を実現すること。【構成】 複数に分割されたワード線と、該分割されたワード線のそれぞれに設けられた電流供給用の複数のドライバとを具備する半導体メモリ装置において、外部電圧を昇圧して前記複数のドライバに供給する昇圧手段と、前記昇圧手段の出力と規準電圧とを比較した結果を示す検知信号を出力する電圧検知回路とを具備し、前記昇圧手段は検知信号が示す比較結果に応じて外部電圧の昇圧動作を行う。

Claim (excerpt)：

複数に分割されたワード線と、該分割されたワード線のそれぞれに設けられた電流供給用の複数のドライバとを具備する半導体メモリ装置において、外部電圧を昇圧して前記複数のドライバに供給する昇圧手段と、前記昇圧手段の出力と規準電圧とを比較した結果を示す検知信号を出力する電圧検知回路とを具備し、前記昇圧手段は検知信号が示す比較結果に応じて外部電圧の昇圧動作を行うことを特徴とする半導体メモリ装置。