半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994148098
Publication number (International publication number)：1995147406
Application date： Jun. 29, 1994
Publication date： Jun. 06, 1995
Summary：

【要約】【目的】拡散層のゲート下へのしみ出しに起因する実効チャネル長の低下を防止することができ、メモリセルのカップリング比の増大をはかり得るNANDセル型EEPROMを提供すること。【構成】表面にn型ウェル11を形成したp型Si基板10上に浮遊ゲート15と制御ゲート17が積層形成され、浮遊ゲート15と基板10の間の電荷の授受により電気的書き換えを可能としたメモリセルが複数個ずつ直列接続されてNANDセルを構成したEEPROMにおいて、制御ゲート17の上及び制御ゲート17,浮遊ゲート15の側面に絶縁膜19を介して導電膜20を形成し、かつメモリセル間のスペースにも導電膜20を形成してなり、導電膜20への電圧印加によりNANDセルを構成するメモリセル間に反転層を形成することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成された第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜を介して前記半導体基板上に形成された制御ゲートを有する複数のMOSトランジスタと、前記制御ゲートの上部及び側面に形成された第2絶縁膜と、前記制御ゲートの少なくとも側面に前記第2絶縁膜を介して形成された導電膜と、を具備したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 27/115

FI (3)：

H01L 29/78 301 G , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 301 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平3-034379
特開平3-034379
特開昭63-001053

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