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J-GLOBAL ID：200903086399099886

GaAs/AlGaAs薄膜の成長方法

Inventor： 冷水 佐壽 ,  下村 哲 ,  岡本 恭典
Applicant, Patent owner： 冷水 佐壽 ,  下村 哲 ,  株式会社クボタ
Agent (1)： 北村 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994202007
Publication number (International publication number)：1995147235
Application date： Aug. 26, 1994
Publication date： Jun. 06, 1995
Summary：

【要約】【目的】 種々のAl混晶比のGaAs/AlX Ga1-X Asヘテロ薄膜を形成するにあたって成長界面が良好な平坦性を有する成長方法を提供する。【構成】 表面が(411)A面となるGaAs基板Sの(411)A面を被結晶成長面として、前記GaAs基板Sを成長容器1内に配置し、この成長容器1を減圧後、前記GaAs基板Sを加熱するとともに、Ga,Al,Asの単体又は化合物を供給して前記GaAs基板S上にエピタキシャル成長させて、前記GaAs基板Sの(411)A面上にGaAs/AlX Ga1-X Asヘテロ薄膜を形成するGaAs/AlGaAs薄膜の成長方法において、AlX Ga1-X As薄膜のAl混晶比を大きい値に選択するほど、加熱される前記GaAs基板Sの基板温度の下限値を高い値に選択して、前記GaAs基板Sを加熱する。

Claim (excerpt)：

表面が(411)A面となるGaAs基板(S)の(411)A面を被結晶成長面として、前記GaAs基板(S)を成長容器(1)内に配置し、この成長容器(1)を減圧後、前記GaAs基板(S)を加熱するとともに、Ga,Al,Asの単体又は化合物を供給して前記GaAs基板(S)上にエピタキシャル成長させて、前記GaAs基板(S)の(411)A面上にGaAs/Alx Ga1-x Asヘテロ薄膜を形成するGaAs/AlGaAs薄膜の成長方法であって、Alx Ga1-x As薄膜のAl混晶比を大きい値に選択するほど、加熱される前記GaAs基板(S)の基板温度の下限値を高い値に選択して、前記GaAs基板(S)を加熱するGaAs/AlGaAs薄膜の成長方法。

IPC (2)：

H01L 21/203 ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-146723
  
• 特開平2-015687
  
• 特開平2-015689