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J-GLOBAL ID：200903086405250702

ドライエッチング方法

Inventor： 門村 新吾
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 志賀 富士弥 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992284092
Publication number (International publication number)：1994132256
Application date： Oct. 22, 1992
Publication date： May. 13, 1994
Summary：

【要約】【目的】 レジスト除去が容易で、寸法変換差を生じることのないドライエッチング方法を提供する。【構成】 被エッチング層上のレジストマスク15表面に(SN)xポリマー膜16を被着させて、次に、S系のエッチングガスにて被エッチング層側壁にイオウ系膜17を堆積させながらエッチングする。(SN)xポリマー膜16はレジストマスクの後退を防止し、寸法変換差が生じることがない。また、堆積物を昇華除去できる。

Claim (excerpt)：

被エッチング層上にレジストマスクを形成した後、該レジストマスクを堆積膜で覆い、その後にエッチングを行うことを特徴とするドライエッチング方法。