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J-GLOBAL ID:200903086409668906
有機ELデバイス
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
奥田 誠司
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004042989
Publication number (International publication number):2005235564
Application date: Feb. 19, 2004
Publication date: Sep. 02, 2005
Summary:
【課題】電子輸送層を備えた有機ELデバイスにおいて、電子輸送層自体の発光を抑制する。【解決手段】有機ELデバイスは、陽極2と、陰極6と、陽極2と陰極6との間に形成された有機層10とを備え、有機層10は、発光層4、発光層4と陰極6との間に形成された電子輸送層5、および、発光層4と電子輸送層5との間に形成され、発光層4のバンドギャップおよび電子輸送層5のバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有する発光防止層7を有する。【選択図】図2
Claim (excerpt):
陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に形成された有機層とを備え、
前記有機層は、
発光層、
前記発光層と前記陰極との間に形成された電子輸送層、および
前記発光層と前記電子輸送層との間に形成され、前記発光層のバンドギャップおよび前記電子輸送層のバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有する発光防止層
を有する有機ELデバイス。
IPC (2):
FI (2):
H05B33/22 B
, H05B33/14 A
F-Term (4):
3K007AB03
, 3K007AB04
, 3K007DB03
, 3K007FA01
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
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共役系高分子蛍光体と有機EL素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-161555
Applicant:住友化学工業株式会社
Cited by examiner (11)
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有機エレクトロルミネッセンス素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-186223
Applicant:住友電気工業株式会社
-
有機発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-379404
Applicant:三洋電機株式会社
-
電界発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-012533
Applicant:松下電器産業株式会社
-
有機発光素子の有機層構造
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-215434
Applicant:スタンレー電気株式会社
-
発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-348774
Applicant:東レ株式会社
-
有機電界発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-157639
Applicant:三菱化学株式会社
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発光装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-367454
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
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電気リン光に基づく高効率有機発光装置
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2000-619011
Applicant:ザトラスティーズオブプリンストンユニバーシティ, ザユニバーシティーオブサザンカリフォルニア
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有機電界発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-104967
Applicant:株式会社豊田中央研究所
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金属錯体を含むキャリア阻止層を有する有機発光デバイス
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2003-525557
Applicant:ザトラスティーズオブプリンストンユニバーシティ, ザユニバーシティオブサザンカリフォルニア
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発光装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-234588
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
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