Pat
J-GLOBAL ID:200903086416198087
光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた光半導体装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3):
西藤 征彦
, 井▲崎▼ 愛佳
, 西藤 優子
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006052634
Publication number (International publication number):2006274249
Application date: Feb. 28, 2006
Publication date: Oct. 12, 2006
Summary:
【課題】光透過性および低応力性の双方に優れ、しかも短波長(例えば350〜500nm)に対する耐光劣化性にも優れた光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。【解決手段】下記の(A)〜(C)成分を含有する光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物である。(A)エポキシ樹脂。(B)酸無水物系硬化剤。(C)シリコーン樹脂を構成するシロキサン単位が下記の一般式(1)で表され、一分子中に少なくとも一個のケイ素原子に結合した水酸基またはアルコキシ基を有し、ケイ素原子に結合した一価の炭化水素基(R)中、10モル%以上が置換または未置換の芳香族炭化水素基であるシリコーン樹脂。【選択図】なし
Claim (excerpt):
下記の(A)〜(C)成分を含有することを特徴とする光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物。
(A)エポキシ樹脂。
(B)酸無水物系硬化剤。
(C)シリコーン樹脂を構成するシロキサン単位が下記の一般式(1)で表され、一分子中に少なくとも一個のケイ素原子に結合した水酸基またはアルコキシ基を有し、ケイ素原子に結合した一価の炭化水素基(R)中、10モル%以上が置換または未置換の芳香族炭化水素基であるシリコーン樹脂。
IPC (6):
C08G 59/42
, H01L 23/29
, H01L 23/31
, C08L 63/00
, C08L 83/04
, H01L 33/00
FI (5):
C08G59/42
, H01L23/30 F
, C08L63/00 A
, C08L83/04
, H01L33/00 N
F-Term (47):
4J002CD02W
, 4J002CD03W
, 4J002CD04W
, 4J002CD05W
, 4J002CD07W
, 4J002CD13W
, 4J002CD14W
, 4J002CP03X
, 4J002EF076
, 4J002EF116
, 4J002EF126
, 4J002FD030
, 4J002FD146
, 4J002FD150
, 4J002GQ01
, 4J002GQ05
, 4J036AA01
, 4J036AB17
, 4J036AD08
, 4J036AJ10
, 4J036DA01
, 4J036DA02
, 4J036DB15
, 4J036DB21
, 4J036DB22
, 4J036FB16
, 4J036GA03
, 4J036GA22
, 4J036JA07
, 4J036KA01
, 4M109AA01
, 4M109BA01
, 4M109BA04
, 4M109CA01
, 4M109CA02
, 4M109CA21
, 4M109EA02
, 4M109EA10
, 4M109EB02
, 4M109EC04
, 4M109EC11
, 4M109EC15
, 4M109GA01
, 5F041AA40
, 5F041AA44
, 5F041DA45
, 5F041EE25
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
-
光半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-102950
Applicant:日東電工株式会社
-
光半導体封止用エポキシ樹脂組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-173870
Applicant:日東電工株式会社
Cited by examiner (3)
Return to Previous Page