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J-GLOBAL ID：200903086418157728

カーボンナノチューブ、カーボンナノチューブ膜、カーボンナノチューブ膜含有炭化珪素基板及びカーボンナノチューブ膜体並びにそれらの製造方法

Inventor： 永野 孝幸 ,  谷 由加里 ,  柴田 典義
Applicant, Patent owner： 財団法人ファインセラミックスセンター
Agent (1)： 小島 清路 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002096837
Publication number (International publication number)：2003292312
Application date： Mar. 29, 2002
Publication date： Oct. 15, 2003
Summary：

【要約】【課題】 炭化珪素のC面のみならず、Si面から生成成長したカーボンナノチューブ及びその製造方法、炭化珪素のC面のみならず、Si面から多数のカーボンナノチューブが生成形成され、且つ所定の方向に高配向するカーボンナノチューブ膜、カーボンナノチューブ膜含有基板及びカーボンナノチューブ膜体並びにそれらを大量に製造する方法を提供する。【解決手段】 炭化珪素の表面を化学処理し、処理後の炭化珪素を微量酸素の含有する雰囲気において該炭化珪素が分解して該炭化珪素の表面から珪素原子が失われる温度に加熱することにより、該炭化珪素から珪素原子を除去して、該炭化珪素の表面から内部へ生成成長させてカーボンナノチューブを得る。

Claim (excerpt)：

炭化珪素の表面を化学処理し、処理後の炭化珪素を微量酸素の含有する雰囲気において該炭化珪素が分解して該炭化珪素の表面から珪素原子が失われる温度に加熱することにより、該炭化珪素から珪素原子を除去して、該炭化珪素の表面から内部へカーボンナノチューブを生成成長させることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。

F-Term (7)：

4G146AA11 ,  4G146AB07 ,  4G146BA08 ,  4G146BC01 ,  4G146BC02 ,  4G146BC34A ,  4G146BC34B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• カーボンナノチューブ膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-282214   Applicant：財団法人ファインセラミックスセンター