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J-GLOBAL ID：200903086427505402

エッチングガス

Inventor： 中島 慎一
Applicant, Patent owner： 日本モトローラ株式会社
Agent (1)： 本城 雅則 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992353844
Publication number (International publication number)：1994188224
Application date： Dec. 16, 1992
Publication date： Jul. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体基板上のゲートをエッチングするエッチングガスであって、成層圏のオゾン層を破壊しないガスの提供を目的とする。【構成】 六フッ化硫黄(SF6),酸素(O2),および,3フッ化メタン(CHF3)の混合気体により構成される。エッチングガスの合比はSF6>O2>CHF3である。

Claim (excerpt)：

六フッ化硫黄(SF6),酸素(O2),および,3フッ化メタン(CHF3)の混合気体により構成され、半導体基板上のゲートをエッチングするエッチングガスであって、前記混合気体の混合比がSF6>O2>CHF3であることを特徴とするエッチングガス。