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J-GLOBAL ID：200903086445583968

半導体磁気抵抗素子及びその製造方法

Inventor： 芦原 新 ,  後藤 広将
Applicant, Patent owner： 旭化成株式会社
Agent (1)： 谷 義一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002173335
Publication number (International publication number)：2004022678
Application date： Jun. 13, 2002
Publication date： Jan. 22, 2004
Summary：

【課題】半導体磁気抵抗素子を小型化しても、高い磁気抵抗変化率を維持し、かつ高入力インピーダンスを維持し、低消費電力化を達成すること。【解決手段】基板11上に半導体動作層12を設け、この半導体動作層12上に1組の入出力電極13と複数の短絡電極14を有している半導体磁気抵抗素子において、短絡電極14の断面形状が、半導体動作層12に接する部位が逆凸形状14aを有しており、短絡電極14の断面形状がT字型になっている。素子の表面に対して垂直方向に磁場を印加することにより、素子の抵抗変化がおこる磁気抵抗素子において半導体動作層12と接触する短絡電極14の幅を3μm以下にして素子の小型化を図るとともに、短絡電極14の断面形状をT字型にし、短絡電極の十分な低抵抗化を図り、素子の高い磁気抵抗変化率を維持する。【選択図】 図4

Claim (excerpt)：

基板上に半導体動作層を設け、該半導体動作層上に1組の入出力電極と複数の短絡電極を設けてなる半導体磁気抵抗素子において、前記短絡電極の断面形状が、前記半導体動作層に接する部位が逆凸形状を有することを特徴とする半導体磁気抵抗素子。

IPC (3)：

H01L43/08 ,  G01R33/09 ,  H01L43/12

FI (4)：

H01L43/08 S ,  H01L43/08 D ,  H01L43/12 ,  G01R33/06 R

F-Term (3)：

2G017AA02 ,  2G017AD55 ,  2G017AD61