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J-GLOBAL ID：200903086464617580

チオフェン環含有ポリオルガノシランの製造方法

Inventor： 若松 茂 ,  壁田 桂次 ,  今井 高史
Applicant, Patent owner： 東芝シリコーン株式会社
Agent (1)： 津国 肇 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996304738
Publication number (International publication number)：1998139882
Application date： Nov. 15, 1996
Publication date： May. 26, 1998
Summary：

【要約】【課題】 クロロジシラン化合物およびチオフェン誘導体から、チオフェン環含有ポリオルガノシランを簡便かつ安全に製造する方法を提供する。【解決手段】 クロロジシラン化合物とハロゲン含有チオフェン誘導体を、ハロゲン化第四級ホスホニウムのような転位触媒の存在下に反応させることを特徴とするチオフェン環含有ポリオルガノシランの製造方法。

Claim (excerpt)：

一般式(1):【化1】(式中、Rはたがいに同一でも異なっていてもよく、水素原子または置換もしくは非置換の炭素数1〜20の1価の炭化水素基を表し;Xはハロゲン原子を表し;mおよびnはそれぞれ独立して1または2の数である)で示されるジシラン化合物と、一般式(2):【化2】(式中、R1 はたがいに同一でも異なっていてもよく、水素原子または炭素数1〜20のアルキル基を表し;X1 はハロゲン原子を表し;X2 は水素原子またはハロゲン原子を表し;pは1以上の数である)で示されるチオフェン環含有化合物とを、第三級アミン、カルボン酸アミド、アルキル尿素、ハロゲン化第四級アンモニウム、第三級ホスフィン、リン酸アミドおよびハロゲン化第四級ホスホニウムならびにそれらの混合物からなる群より選ばれる触媒の存在下に反応させることを特徴とするチオフェン環含有ポリオルガノシランの製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 特開昭61-069834
  
• 特開平4-218533
  
• 有機光伝導体および素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-263529   Applicant：住友電気工業株式会社