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J-GLOBAL ID：200903086465197665

シリコンウエハの製造方法及びシリコンウエハ

Inventor： 泉妻 宏治 ,  白井 宏 ,  吉川 淳 ,  鹿島 一日兒 ,  桐野 好生
Applicant, Patent owner： 東芝セラミックス株式会社
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993083559
Publication number (International publication number)：1994295913
Application date： Apr. 09, 1993
Publication date： Oct. 21, 1994
Summary：

【要約】【目的】 比較的低い酸素濃度範囲のウエハであっても、デバイス活性層はより無欠陥に、かつバルク部にBMDを高い密度で形成し十分なゲッタリング効果を奏することができるシリコンウエハを提供する。【構成】 チョクラルスキー法により製造された単結晶シリコンインゴットから製造された格子間酸素濃度[Oi]が1.55×1018atoms/cm3 未満のシリコンウエハを、水素ガス雰囲気中あるいは水素ガスと不活性ガスの混合ガス雰囲気中で、熱処理温度を1100°C〜1300°C、熱処理時間を1分間〜48時間、熱処理過程中1000°Cから1300°Cの温度範囲内における昇温速度を5〜10°C/minの条件で熱処理を施す。

Claim (excerpt)：

チョクラルスキー法により製造された単結晶シリコンインゴットから製造された格子間酸素濃度[Oi]が1.55×1018atoms/cm3 未満のシリコンウエハを、水素ガス雰囲気中あるいは水素ガスと不活性ガスの混合ガス雰囲気中で、熱処理温度を1100°C〜1300°C、熱処理時間を1分間〜48時間、熱処理過程中1000°Cから1300°Cの温度範囲内における昇温速度を5〜10°C/minの条件で熱処理を施すことによって、ウエハ表面から少なくとも深さ10μm以上にわたって大きさが20nm以上のBMDが103 個/cm3 以下である無欠陥層を有し、ウエハ内部バルク部の酸素析出物密度[BMD]が、[BMD]≦1×1010個/cm3 、かつ[BMD]≧exp{1.151×10-17 ×[Oi]+1.151}個/cm3 であるウエハを製造することを特徴とするシリコンウエハの製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/322 ,  H01L 21/02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭61-193458
  
• 特開昭59-202640
  
• 特開昭58-056343
  
• 特開昭57-167637