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J-GLOBAL ID:200903086478028021

熱的に広い範囲にわたって安定であり、且つ良好なプロトン伝導率を有するプロトン導体

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 社本 一夫 (外5名)
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):1998509370
Publication number (International publication number):2000517462
Application date: Aug. 07, 1997
Publication date: Dec. 26, 2000
Summary:
【要約】熱的に広い範囲にわたって安定であり、且つ良好なプロトン伝導率を有するプロトン導体。1乃至99重量%の酸と、99乃至1重量%の非水性両性材料とを含有してなり、且つ-50°C乃至400°Cにおいて熱的に安定であり、そして10-5S/cm以上のプロトン伝導率を有するプロトン導体。本発明は、さらに本発明のプロトン導体を含有してなる膜、該膜を製造する方法ならびにエレクトロクロミックセル、二次電池およびエレクトロクロミックディスプレイにおける該膜の使用に関する。
Claim (excerpt):
酸と非水性両性材料とを含有してなり、前記酸は1乃至99重量%の量で存在し、前記両性材料は99乃至1重量%の量で存在し、且つ400°Cまでの温度範囲において熱的に安定であることを特徴とするプロトン導体。
IPC (5):
H01B 1/06 ,  C08J 7/06 ,  G02F 1/15 ,  H01M 8/02 ,  H01M 10/40
FI (5):
H01B 1/06 A ,  C08J 7/06 Z ,  G02F 1/15 ,  H01M 8/02 P ,  H01M 10/40 B

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