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J-GLOBAL ID：200903086487097940

不揮発性半導体記憶装置

Inventor： 江守 孝之
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998343928
Publication number (International publication number)：2000173280
Application date： Dec. 03, 1998
Publication date： Jun. 23, 2000
Summary：

【要約】【課題】 ベリファイまたは読み出し電圧のバラツキによる読み出し精度の低下を回避でき、多値メモリの読み出しを容易に実現できる。【解決手段】 センスノードND1にチャージ電流を供給するチャージトランジスタP1を設け、トランジスタP1のゲートに印加されるチャージ電圧VCHのレベルを制御することによりプリチャージ時にセンスノードND1にプリチャージ電流を供給し、センシング時に判定対象となるメモリセルMCの基準電流の半分程度のチャージ電流をセンスノードND1に供給する。ベリファイおよび読み出し時に選択メモリセルの制御ゲートに同じワード線電圧を印加し、チャージ電流を異なるレベルに設定することによって、ベリファイおよび読み出しのゲート電圧のバラツキによる読み出しエラーの発生を防止でき、ベリファイおよび読み出しの精度を向上できる。

Claim (excerpt)：

電荷蓄積層の蓄積電荷に応じてしきい値電圧が制御され、当該しきい値電圧に応じたデータを記憶するメモリセルを有し、書き込みまたは消去動作のあと、制御ゲートにベリファイ電圧を印加したとき上記メモリセルの電流を検出することで当該メモリセルのしきい値電圧レベルを判定するベリファイを行い、読み出し時に上記制御ゲートに読み出し電圧を印加したとき上記メモリセルの電流を検出することによって当該メモリセルの記憶データを判別する不揮発性半導体記憶装置であって、上記ベリファイおよび読み出し時に、上記メモリセルの制御ゲートに同じレベルを持つベリファイ電圧および読み出し電圧を印加し、ベリファイの時には上記メモリセルを流れる電流が第1の基準電流に達しているか否かを判定し、読み出しの時には上記メモリセルを流れる電流が上記第1の基準電流と異なる第2の基準電流に達しているか否かを判定する判定回路を有する不揮発性半導体記憶装置。

FI (2)：

G11C 17/00 611 A ,  G11C 17/00 641

F-Term (11)：

5B025AA03 ,  5B025AA04 ,  5B025AA07 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD04 ,  5B025AD06 ,  5B025AD08 ,  5B025AD10 ,  5B025AD11 ,  5B025AE08