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J-GLOBAL ID：200903086487849429

平面検出器及びその製造方法

Inventor： 本間 克久 ,  植村 敬 ,  佐野 哲
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000401640
Publication number (International publication number)：2002202373
Application date： Dec. 28, 2000
Publication date： Jul. 19, 2002
Summary：

【要約】【目的】X線用の平面検知器に関し、特に間接方式の平面検出器における解像度特性を改善する構成および方法を提供する。【解決手段】この発明の平面検出器1は、シンチレータ層27と、シンチレータ層下に、光導電膜からなるフォトダイオード25と電荷蓄積容量部13とスイッチング素子14とを有する画素単位の光電変換素子が複数配列してなるアクティブマトリクス光電変換基板11と、アクティブマトリクス光電変換基板の側から成長または成膜され、画素単位の光電変換素子を周縁してシンチレータ層を個々の画素単位の領域に分離する隔壁28を有する。

Claim (excerpt)：

マトリクス状に配置された複数のスイッチング素子部と、各々が前記スイッチング素子に電気的に接続された複数のフォトダイオードおよび電荷蓄積容量とを有するアクティブマトリクス光電変換基板と、前記アクティブマトリクス光電変換基板上に堆積されたシンチレータ層と、前記アクティブマトリクス光電変換基板上に形成され、前記シンチレータ層を区画する隔壁と、を有することを特徴とする平面検出器。

IPC (4)：

G01T 1/20 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/09 ,  H04N 5/32

FI (6)：

G01T 1/20 B ,  G01T 1/20 G ,  H04N 5/32 ,  H01L 27/14 K ,  H01L 27/14 D ,  H01L 31/00 A

F-Term (38)：

2G088EE01 ,  2G088FF02 ,  2G088GG13 ,  2G088GG16 ,  2G088GG19 ,  2G088GG20 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ09 ,  2G088JJ13 ,  2G088LL09 ,  2G088LL12 ,  2G088LL15 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA03 ,  4M118CA05 ,  4M118CA32 ,  4M118CB06 ,  4M118CB11 ,  4M118CB14 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB16 ,  4M118GA09 ,  4M118GA10 ,  5C024AX11 ,  5C024CX00 ,  5C024CY47 ,  5C024GX00 ,  5C024GX03 ,  5F088AA02 ,  5F088AB05 ,  5F088BB03 ,  5F088EA16 ,  5F088FA04 ,  5F088HA15 ,  5F088LA08