エピタキシャル基板、半導体積層構造、およびエピタキシャル基板の製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (3)：吉田茂明 , 吉竹英俊 , 有田貴弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004170080
Publication number (International publication number)：2005353680
Application date： Jun. 08, 2004
Publication date： Dec. 22, 2005
Summary：

【課題】Alリッチであってかつ低転位であるIII族窒化物を有するエピタキシャル基板を提供する。【解決手段】基材1上に、最上面がランダムな凹凸構造、例えば多数の微小斜面が連結した実質的に非周期的な凹凸構造を有してなる下地層2をAlリッチな第1のIII族窒化物にてエピタキシャル形成する。凹凸は、下地層2の平均膜厚に対する最上面における平均粗さの比が、1/200以上の範囲にあるように形成する。下地層2の上に、上部層3をAlリッチな第2のIII族窒化物にてエピタキシャル形成する。その際、下地層2との界面4の近傍、つまりは下地層2によって形成される凹部近傍が、最表面付近よりもAlリッチであるように傾斜組成を与える。これにより、Alリッチであって、1×109/cm2以下という低転位密度の上部層3を有するエピタキシャル基板1を得ることができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

所定の基材と、前記基材の上に形成され、第1のIII族窒化物からなる下地層と、前記下地層の上に形成され、第2のIII族窒化物からなる上部層と、を備えるエピタキシャル基板であって、前記第1のIII族窒化物における全III族元素に対するAlのモル分率が前記第2のIII族窒化物における全III族元素に対するAlのモル分率よりも大きく、かつ50原子%以上であり、前記下地層の平均膜厚が2μm以上であり、前記下地層の上面が実質的に非周期的な凹凸構造を有してなり、前記上部層の転位密度が1×109/cm2以下である、ことを特徴とするエピタキシャル基板。

IPC (1)：

H01L21/205

FI (1)：

H01L21/205

F-Term (14)：

5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB17 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AE23 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045AF11 , 5F045BB13 , 5F045DA53 , 5F045DA57 , 5F045DA67 , 5F045EE12

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

ELO用III族窒化物半導体基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-178044 Applicant：日本碍子株式会社
III族窒化物膜の製造方法、III族窒化物膜の製造用下地膜、及びその下地膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-314662 Applicant：日本碍子株式会社
III族窒化物系化合物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-041222 Applicant：豊田合成株式会社

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Cited by examiner (3)

III族窒化物膜、エピタキシャル基板、及び多層膜構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-259723 Applicant：日本碍子株式会社
III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-189391 Applicant：豊田合成株式会社
III族窒化物膜の製造方法、III族窒化物膜の製造用下地膜、及びその下地膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-314662 Applicant：日本碍子株式会社

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