Pat

J-GLOBAL ID：200903086515372579

半導体装置及び高周波回路

Inventor： 八木田 秀樹 ,  酒井 啓之 ,  伊藤 順治
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992264519
Publication number (International publication number)：1994120302
Application date： Oct. 02, 1992
Publication date： Apr. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 GaAs半導体の様な半絶縁性基板上に形成した集積回路を、設計が容易でかつ実装特性の再現性の優れたフリップチップ実装を使用する場合、GaAs集積回路チップ裏面に接地電極が設けられない為に、高周波特性が劣化もしくは不安定になることを改善することと、集積回路チップの発生する熱放散の為の熱抵抗が大きくなり、チップの消費電力が制限されることを改善することである。【構成】 半絶縁性GaAs基板106の主表面に、GaAs基板表面に形成されたショットキー型電界効果型トランジスタ、抵抗素子、インダクタ素子、キャパシタ素子、ダイオード素子などをを集積した半導体チップと、誘電体主表面に配線電極、抵抗素子、インダクタ、キャパシタ素子などをを形成した誘電体基板101を、互いに向き合って実装し、さらに半導体チップの裏面電極108がセラミック基板101の接地電極103にボンディングワイヤ109などで接続する半導体チップ実装の高周波回路である。

Claim (excerpt)：

半導体基板の主表面に、トランジスタ、抵抗素子、インダクタ素子、キャパシタ素子、ダイオード素子の少なくとも何れかを集積した半導体チップと、誘電体主表面に配線電極、抵抗素子、インダクタ、キャパシタ素子の少なくとも何れかを形成した誘電体基板が、互いに向き合って実装された半導体装置において、前記半導体チップの裏面に導電体膜を有し、かつ導電体膜が、前記誘電体基板の接地電極に接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/60 321 ,  H01L 23/12 ,  H01P 3/02 ,  H05K 1/18