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J-GLOBAL ID：200903086520185507

不揮発性半導体記憶装置

Inventor： 佐藤 信司 ,  白田 理一郎 ,  有留 誠一
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997356461
Publication number (International publication number)：1999186419
Application date： Dec. 25, 1997
Publication date： Jul. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】誤書き込みマージンを広げることが可能である一方、メモリセルアレイの微細化にも適した不揮発性半導体記憶装置の提供。【解決手段】ゲート16とソース、ドレイン19及び電荷蓄積層14を有する電気的に書換え可能な複数のメモリセルがそのソース、ドレインを隣接するもの同士で共有しながら接続されてなるセルユニットと、前記セルユニットの一方の端部のソースまたはドレインに接続されるビット線18と、前記セルユニットの他方の端部のドレインまたはソースに接続されるソース線と、前記セルユニット中の少なくとも1つのソース、ドレインにコンタクトした引き出し電極20と、前記引き出し電極20と絶縁膜21を介して対向配置された対向電極22とを具備する。

Claim (excerpt)：

ゲートとソースとドレイン及び電荷蓄積層を有する電気的に書換え可能なメモリセルと、前記メモリセルのソース、ドレインの少なくとも一方に電気的に接続した引き出し電極と、前記引き出し電極と実質的に容量結合した対向電極とを具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (5)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 16/04 ,  H01L 27/115

FI (3)：

H01L 29/78 371 ,  G11C 17/00 622 E ,  H01L 27/10 434

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-058389
  
• 特開平4-303964
  
• 不揮発性メモリ及びその動作方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-351268   Applicant：シャープ株式会社