Pat

J-GLOBAL ID：200903086526572057

半導体レーザおよびその製造方法

Inventor： 豊中 隆司 ,  佐川 みすず ,  平本 清久 ,  篠田 和典 ,  野本 悦子
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995308756
Publication number (International publication number)：1997148671
Application date： Nov. 28, 1995
Publication date： Jun. 06, 1997
Summary：

【要約】【課題】リッジ導波路型半導体レーザにおいて、光学的破壊レベルを増大させるべく光ビーム径を大きくした場合でも、高い光出力において安定な単一横モードで発振する半導体レーザを実現する。【解決手段】光を発生する活性層4を含むダブルヘテロ構造と、周囲よりも屈折率が高く、光を基板に平行な方向に対し閉じ込めるためのストライプ状の光導波路層6と、その上部に、キャリアを活性層4に導くリッジ部と、リッジ部の側面上に埋め込まれた電流ブロック層10を含むリッジ導波路型半導体レーザにおいて、一部または全部の光導波路層6の幅が、リッジ部の光導波路層6に接する部分の幅より広い。また、基板1の極性がn型であり、リッジの側面は(111)A面及び(111)B面からなる。

Claim (excerpt)：

半導体の基板上に、光を発生する活性層と前記活性層を上下から挾み光を前記基板に垂直な方向に閉じ込めるクラッド層からなるダブルヘテロ構造の活性層にキャリアを注入できる少なくとも1対の電極、発生した光からレーザ光を得るための共振器構造を有し、前記ダブルヘテロ構造の上部に、周囲よりも屈折率が高く、光を前記基板に平行な方向に閉じ込めるためのストライプ状の光導波路層、前記光導波路層の上部に、前記基板と反対の極性の電極から注入されたキャリアを前記活性層に導くリッジ部、前記リッジ部の側面上に埋め込まれた電流ブロック層を含む半導体レーザにおいて、一部または全部の前記光導波路層の幅が、前記リッジ部の前記光導波路層に接する部分の幅より広いことを特徴とする半導体レーザ。