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J-GLOBAL ID：200903086526740294
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992087406
Publication number (International publication number)：1993291246
Application date： Apr. 09, 1992
Publication date： Nov. 05, 1993
Summary：
【要約】【目的】 Al系配線膜エッチング後の側壁保護膜除去用の後処理に関し,硝酸による配線のコロージョンを防止し,且つ硝酸の使用量を低減した方法の提供を目的とする。【構成】 1)アルミニウムを含む金属からなる配線膜をエッチングする際に形成パターンの側壁に生じる側壁保護膜を硝酸ベーパあるいは硝酸プラズマにより除去する工程を有する,2)前記1)記載の側壁保護膜を除去する工程が,パターニングされたレジスト膜をマスクにした配線膜のエッチングおよび該レジスト膜のアッシング後に行われ,且つ各工程間の搬送は減圧状態が維持されているように構成する。
Claim (excerpt)：
アルミニウムを含む金属からなる配線膜をエッチングする際に形成パターンの側壁に生じる側壁保護膜を硝酸ベーパあるいは硝酸プラズマにより除去する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/3205
, H01L 21/302
