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J-GLOBAL ID：200903086528733830

GaN基板の製造方法

Inventor： 池田 正清
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社
Agent (1)： 寒川 誠一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996018013
Publication number (International publication number)：1997208396
Application date： Feb. 05, 1996
Publication date： Aug. 12, 1997
Summary：

【要約】【課題】 工業的に使用可能な数mm角のGaN基板を製造する方法を提供することである。【解決手段】 反応性ガス例えばCl2 またはHClをもってエッチングしうる基板例えばSi基板の1面にZnOの薄膜を形成し、このZnOの薄膜の上にGaN層を厚く例えば300μm厚に形成した後、反応温度(1,000°C)に保持したまゝ、Si基板を裏面からエッチングして除去することゝしたGaN基板を製造する方法であり、工業的に使用可能な数mm角のGaN基板を製造することができる。

Claim (excerpt)：

ハロゲン元素を使用してなす気相成長方法を使用してなすGaN基板の製造方法において、反応性ガスをもってエッチングしうる基板の1面にZnOの薄膜を形成し、前記ハロゲン元素を使用してなす気相成長方法を使用して、前記ZnOの薄膜の上にGaN層を形成し、前記基板の、前記ZnOの薄膜と前記GaN層とが形成されている面と逆の面に、前記反応性ガスをもってなすエッチング法を、前記GaN層の成長温度と同一の温度において実行して、前記基板を除去し、残留した前記GaN層を有する前記基板を冷却することを特徴とするGaN基板の製造方法。

IPC (5)：

C30B 29/38 ,  C30B 33/12 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 33/00

FI (5)：

C30B 29/38 D ,  C30B 33/12 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00 C ,  H01L 21/302 F