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J-GLOBAL ID：200903086536811610

ウエーハの評価方法

Inventor： 秋 場 啓 史
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 渡辺 望稔 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991288610
Publication number (International publication number)：1993129404
Application date： Nov. 05, 1991
Publication date： May. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】 デバイス素子形成を行うことなく、簡単にウェーハ品質そのものを評価することができ、従って、ウェーハの歩留りを評価することのできるウェーハの評価方法の提供。【構成】ウェーハの製造時のストレスに起因する結晶欠陥および析出物によってウェーハを評価するに際し、ほぼ同じ製造履歴を有する2枚のウェーハを用意し、一枚のウェーハをN2 雰囲気中、750〜900°Cで8時間以上熱処理し、続いてO2 雰囲気中、950〜1050°Cで2〜4時間熱処理した後、この熱処理したウェーハと他方の熱処理していないウェーハのそれぞれにMOSダイオードを形成した後、各々のウェーハの面内の少数キャリヤ発生ライフタイムをそれぞれ複数箇所に亘って測定し、熱処理していないウェーハに対する熱処理したウェーハの少数キャリヤ発生ライフタイムの比を求め、この比のバラツキからウェーハの良品率を推定することを特徴とするウェーハの評価方法。

Claim (excerpt)：

ウェーハの製造時のストレスに起因する結晶欠陥および析出物によってウェーハを評価するに際し、ほぼ同じ製造履歴を有する2枚のウェーハを用意し、一枚のウェーハをN2雰囲気中、600〜900°Cで8時間以上熱処理し、続いてO2 雰囲気中、900〜1150°Cで2〜4時間熱処理した後、この熱処理したウェーハと他方の熱処理していないウェーハのそれぞれにMOS構造を形成した後、各々のウェーハの面内の少数キャリヤ発生ライフタイムをそれぞれ複数箇所に亘って測定し、熱処理していないウェーハに対する熱処理したウェーハの少数キャリヤ発生ライフタイムの比を求め、この比のバラツキからウェーハの良品率を推定することを特徴とするウェーハの評価方法。

IPC (2)：

H01L 21/66 ,  G01N 27/00