Pat

J-GLOBAL ID：200903086543105071

磁気抵抗効果素子

Inventor： 猪俣 浩一郎 ,  高橋 義則 ,  斉藤 好昭 ,  奥野 志保 ,  柚須 圭一郎
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994036912
Publication number (International publication number)：1994318749
Application date： Mar. 08, 1994
Publication date： Nov. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】ヒステリシス及び飽和磁界が小さく、大きな磁気抵抗変化率を有し、小さな磁界での磁気抵抗変化率が大きい磁気抵抗効果素子を提供することにある。【構成】貴金属マトリックス11中にFe,Co,Niのうち少なくとも1種の元素を含む結晶質又は非晶質の磁性金属微粒子12が分散した磁性層13と、貴金属を含む非磁性層14との積層膜15で構成された磁気抵抗効果素子が開示される。

Claim (excerpt)：

貴金属マトリックス中にFe,Co,Niのうち少なくとも1種の元素を含む非晶質の磁性金属微粒子が分散した磁性層を有することを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (2)：

H01L 43/08 ,  H01L 43/10