Pat

J-GLOBAL ID：200903086546522285

青緑色半導体レーザ

Inventor： 大川 和宏 ,  辻村 歩 ,  林 茂生 ,  吉井 重雄 ,  三露 常男
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993094415
Publication number (International publication number)：1994310809
Application date： Apr. 21, 1993
Publication date： Nov. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 簡素化され再現性がよく、光出力が安定で、動作電圧が低く、寿命の長い青緑色半導体レーザを提供することを目的としている。【構成】 ZnCdSe活性層22をn型ZnSSeクラッド層21とp型ZnSeクラッド層26とp+型ZnSeクラッド層24よりなるダブルヘテロ構造を採用するものである。

Claim (excerpt)：

3nm以上100nm以下の厚みを有するZn<SB>1-X</SB>Cd<SB>X</SB>Se(ただしXは0.05≦X≦0.5の範囲)を活性層とし、ZnSeまたはZnS<SB>X</SB>Se<SB>1-X</SB>(ただしXは0<X≦0.2の範囲)の何れかを含むp型クラッド層とn型クラッド層とを、一層の前記活性層を介して配置したことを特徴とする青緑色半導体レーザ。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00