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J-GLOBAL ID：200903086553551347

電界効果型半導体装置

Inventor： 中山 達峰
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 五十嵐 省三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994192945
Publication number (International publication number)：1996037293
Application date： Jul. 25, 1994
Publication date： Feb. 06, 1996
Summary：

【要約】【目的】 歪み層厚が臨界膜厚を越えたとき発生する転位を抑制し、また、発生した転位による移動度劣化を抑制し、高周波特性にすぐれた電界効果型半導体装置を提供すること。【構成】 [1,0,0]方向から[0,1,1]方向に0.8°傾斜したInP傾斜基板1’上にInAs組成比0.8のInGaAs層3’を20nmを成長し、かつソース電極7S’、ゲート電極7G、ドレイン電極7Dを[0,1,-1]方向に電流が流れるように配置する。

Claim (excerpt)：

表面が[1,0,0]方向から[0,1,1]方向もしくは[0,-1,-1]方向に約0.8°から約4°傾斜した傾斜基板(1’)と、該傾斜基板上に形成された歪み層を含む結晶層(3’)とを具備し、該結晶層の[0,-1,1]方向もしくは[0,1,-1]方向にソースードレイン電流を流すようにした電界効果型半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/20