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J-GLOBAL ID：200903086555596445

半導体レーザ装置

Inventor： 水落 均 ,  園田 琢二
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993123749
Publication number (International publication number)：1994334259
Application date： May. 26, 1993
Publication date： Dec. 02, 1994
Summary：

【要約】【目的】 しきい値電流等のレーザ特性の優れた埋め込みヘテロ型の半導体レーザ装置を得る。【構成】 p型InP基板1上に配置されメサストライプ形状に成形されたInGaAsP活性層2を含む半導体積層構造の側面上に、InP層41とInPより禁制帯幅の大きいInGaAsからなる層42を交互に積層してなるp型歪超格子層40を備えた構成とした。【効果】 埋込ヘテロ構造の半導体レーザのリーク電流低減できるとともに、光閉じ込め作用を強くでき、レーザ特性を向上できる。

Claim (excerpt)：

埋め込みヘテロ型の半導体レーザ装置において、第1導電形のInP基板上に配置されメサストライプ形状に成形されたInGaAsP活性層を含む半導体積層構造と、上記メサストライプ形状の半導体積層構造の側面上に配置された、InP層とInPより禁制帯幅の大きい半導体材料からなる層を交互に積層してなる、第1導電形もしくはアンドープの歪超格子層とを備えたことを特徴とする半導体レーザ装置。