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J-GLOBAL ID：200903086557239291
半導体装置及びその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
宮田 金雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997125608
Publication number (International publication number)：1998321956
Application date： May. 15, 1997
Publication date： Dec. 04, 1998
Summary：
【要約】【課題】 通電中の発熱による素子寿命の短縮を回避可能な半導体装置を得る。【解決手段】 発光素子である半導体装置は、タングステン(W)、プラチナ(Pt)、クロム(Cr)等の融点が1300°C以上である高融点金属基板1と、この高融点基板1上に形成されたAlGaNバッファ層2と、バッファ層2上に形成されたn型GaNコンタクト層3と、n型コンタクト層3上に形成されたn型Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(0≦x<1)クラッド層4と、n型クラッド層4上に形成されたIn<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>N(0≦y<1)活性層5と、活性層5上に形成されたp型Al<SB>z</SB>Ga<SB>1-z</SB>N(0≦z<1)クラッド層6と、p型クラッド層6上に形成されたp型GaNコンタクト層7と、p型コンタクト層7上に形成されたp型電極12とを具備するものである。
Claim (excerpt)：
金属上に形成された窒化ガリウム系の化合物半導体層を備えた半導体装置。
IPC (2)：
FI (2)：
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