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J-GLOBAL ID：200903086560480013

半導体装置及びそれを使った電力変換装置

Inventor： 森 睦宏 ,  安田 保道 ,  細谷 浩美
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000034311
Publication number (International publication number)：2000208768
Application date： Sep. 20, 1994
Publication date： Jul. 28, 2000
Summary：

【要約】【目的】阻止電圧が安定し、漏れ電流の小さい高信頼の高電圧半導体装置を提供する。【構成】主pn- 接合を形成するp層をリング状に取り囲む多重のp層と、それらをさらに取り囲むリング状のn+ 層と、各p層とn+ に低抵抗接触し絶縁膜を介してn- 層の表面に達し周辺方向に延びる順フィールドプレートと内側方向に延びる逆フィールドプレートの面積がn- 表面の半分以上を占めるフィールドプレートとを有する。【効果】本発明によれば、厳しい環境で使われる高電圧の半導体装置の阻止電圧の安定化に有効で、高電圧の制御装置の信頼性向上に非常に効果的である。

Claim (excerpt)：

一対の主表面と、一方の主表面側に接する表面を持つ第1導電型の第1の半導体領域と、一方の主表面より第1の半導体領域内に延びる第2導電型の第2の半導体領域と、第2の半導体領域を囲むように形成され、一方の主表面より第1の半導体領域内に延びる第2導電型の複数の第3の半導体領域と、他方の主表面に形成された第1の主電極と、第2の半導体領域に低抵抗接触し、絶縁膜を介して第1の半導体領域の表面を覆う第2の主電極と、第3の半導体領域に低抵抗接触し、第2の半導体領域の側及びその反対側において絶縁膜を介して第1の半導体領域の表面上を覆う複数の補助電極と、を有し、一方の主表面と接する第1の半導体領域の表面を覆う補助電極の長さが、第3の半導体領域間の距離の1/2以上であり、第3の半導体領域間の距離が、周辺側ほど広く、第3の半導体領域間において、周辺側において第1の半導体領域の表面上を覆う補助電極の長さが、内側において第1の半導体領域の表面上を覆う補助電極の長さより大きくすることを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 655 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/41 ,  H01L 29/74 ,  H02M 7/537

FI (6)：

H01L 29/78 652 P ,  H01L 29/78 655 F ,  H01L 29/06 ,  H02M 7/537 E ,  H01L 29/44 E ,  H01L 29/74 W