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J-GLOBAL ID：200903086560872663

プラズマCVD装置

Inventor： 師岡 久雄 ,  松瀬 充貴 ,  篠原 久人
Applicant, Patent owner： ティーディーケイ株式会社
Agent (1)： 石井 陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000005469
Publication number (International publication number)：2001192837
Application date： Jan. 14, 2000
Publication date： Jul. 17, 2001
Summary：

【要約】【課題】 プラズマCVD装置において、基板表面以外への膜付着を抑制することにより、稼働率を向上させる。【解決手段】 陰極と基板との間にプラズマを発生させ、このプラズマにより反応ガスを分解して基板表面に薄膜を形成する装置であって、磁場発生手段を有し、この磁場発生手段が発生する磁場を少なくとも利用して、基板近傍に限定してプラズマが存在するようにプラズマを閉じ込めるプラズマCVD装置。

Claim (excerpt)：

陰極と基板との間にプラズマを発生させ、このプラズマにより反応ガスを分解して基板表面に薄膜を形成する装置であって、磁場発生手段を有し、この磁場発生手段が発生する磁場を少なくとも利用して、基板近傍に限定してプラズマが存在するようにプラズマを閉じ込めるプラズマCVD装置。

IPC (3)：

C23C 16/505 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46

FI (3)：

C23C 16/505 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 M

F-Term (26)：

4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030FA03 ,  4K030HA06 ,  4K030KA30 ,  4K030KA34 ,  5F045AA08 ,  5F045AA10 ,  5F045AB02 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AB06 ,  5F045AB07 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045BB08 ,  5F045BB10 ,  5F045BB14 ,  5F045DP03 ,  5F045DP04 ,  5F045EH05 ,  5F045EH14 ,  5F045EH16 ,  5F045EH19