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J-GLOBAL ID:200903086585967006

TFTマトリクスの製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 井桁 貞一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992276412
Publication number (International publication number):1994130415
Application date: Oct. 15, 1992
Publication date: May. 13, 1994
Summary:
【要約】【目的】 本発明は,ラップトップパソコンや壁掛けTVとして用いられるTFTマトリクス型カラー液晶パネルのTFTマトリクスの製造方法に関し,窓開きのオーバーエッチング工程をなくし,開口率を増加することを目的とする。【構成】 透明絶縁基板1上に,少なくとも, ゲート電極2,及び該複数個のゲート電極2を接続するゲートバスライン3, 蓄積電極4,ゲート絶縁膜5,半導体活性層6,ソース電極7,ドレイン電極8,及び該複数個のドレイン電極8を接続するドレインバスライン9, 画素電極10の順に成膜される下ゲートスタガー型薄膜トランジスタをスイッチング素子とするTFTマトリクス半導体装置の製造方法において,画素電極10と, 画素電極10領域の内側に開口されるカラーフィルタ窓11との間隙12を利用して,間隙12上にソース電極7と対向電極13とを繋ぐ電極配線14を形成するように構成する。
Claim (excerpt):
透明絶縁基板(1) 上に,少なくとも, ゲート電極(2) ,及び複数個の該ゲート電極(2) を接続するゲートバスライン(3), 蓄積電極(4), ゲート絶縁膜(5), 半導体活性層(6), ソース電極(7), ドレイン電極(8), 及び複数個の該ドレイン電極(8) を接続するドレインバスライン(9) , 画素電極(10)の順に成膜される下ゲートスタガー型薄膜トランジスタをスイッチング素子とするTFTマトリクスの製造方法において,画素電極(10)と, 該画素電極(10)領域の内側に開口されるカラーフィルタ窓(11)との間隙(12)を利用して,該間隙(12)上に該ソース電極(7) と対向電極(13)とを繋ぐ電極配線(14)を形成することを特徴とするTFTマトリクスの製造方法。
IPC (3):
G02F 1/136 500 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/784
FI (2):
H01L 21/88 B ,  H01L 29/78 311 A
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
  • 特開平3-267921

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