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J-GLOBAL ID：200903086585967006
TFTマトリクスの製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992276412
Publication number (International publication number)：1994130415
Application date： Oct. 15, 1992
Publication date： May. 13, 1994
Summary：
【要約】【目的】 本発明は,ラップトップパソコンや壁掛けTVとして用いられるTFTマトリクス型カラー液晶パネルのTFTマトリクスの製造方法に関し,窓開きのオーバーエッチング工程をなくし,開口率を増加することを目的とする。【構成】 透明絶縁基板1上に,少なくとも, ゲート電極2,及び該複数個のゲート電極2を接続するゲートバスライン3, 蓄積電極4,ゲート絶縁膜5,半導体活性層6,ソース電極7,ドレイン電極8,及び該複数個のドレイン電極8を接続するドレインバスライン9, 画素電極10の順に成膜される下ゲートスタガー型薄膜トランジスタをスイッチング素子とするTFTマトリクス半導体装置の製造方法において,画素電極10と, 画素電極10領域の内側に開口されるカラーフィルタ窓11との間隙12を利用して,間隙12上にソース電極7と対向電極13とを繋ぐ電極配線14を形成するように構成する。
Claim (excerpt)：
透明絶縁基板(1) 上に,少なくとも, ゲート電極(2) ,及び複数個の該ゲート電極(2) を接続するゲートバスライン(3), 蓄積電極(4), ゲート絶縁膜(5), 半導体活性層(6), ソース電極(7), ドレイン電極(8), 及び複数個の該ドレイン電極(8) を接続するドレインバスライン(9) , 画素電極(10)の順に成膜される下ゲートスタガー型薄膜トランジスタをスイッチング素子とするTFTマトリクスの製造方法において,画素電極(10)と, 該画素電極(10)領域の内側に開口されるカラーフィルタ窓(11)との間隙(12)を利用して,該間隙(12)上に該ソース電極(7) と対向電極(13)とを繋ぐ電極配線(14)を形成することを特徴とするTFTマトリクスの製造方法。
IPC (3)：
G02F 1/136 500
, H01L 21/3205
, H01L 29/784
H01L 21/88 B
, H01L 29/78 311 A
