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J-GLOBAL ID：200903086592480589

GaN系結晶の製造方法

Inventor： 宮下 啓二 ,  岡川 広明 ,  大内 洋一郎 ,  只友 一行
Applicant, Patent owner： 三菱電線工業株式会社
Agent (1)： 高島 一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997002344
Publication number (International publication number)：1998199815
Application date： Jan. 09, 1997
Publication date： Jul. 31, 1998
Summary：

【要約】【課題】 高品質のGaN系結晶を容易に製造し得る新規な製造方法を提供することにある。【解決手段】 第三b族元素の酸リチウムや第二族元素の酸化物のような化学分解性材料からなる基板の上に該基板が分解しない条件下にInGaAlNの保護層を成長し、更にその上に該基板が分解する条件下にInGaAlNの結晶層を成長することを特徴とするGaN系結晶の製造方法。【効果】 高品質且つ大面積のGaN系基板を容易にしかも高歩留りにて製造することができる。このGaN系基板は、青色発光素子の製造に好適である。

Claim (excerpt)：

化学分解性材料からなる基板の上に該基板が分解しない条件下にInX GaY AlZ N(ここに0≦X≦1、0≦Y≦1、0≦Z≦1、X+Y+Z=1)の保護層を成長し、更にその上に該基板が分解する条件下にInXGaY AlZ N(ここに0≦X≦1、0≦Y≦1、0≦Z≦1、X+Y+Z=1)の結晶層を成長することを特徴とするGaN系結晶の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/203 ,  H01L 33/00

FI (4)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/203 M ,  H01L 33/00 C