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J-GLOBAL ID：200903086592746333

面発光型半導体素子

Inventor： オチュット クマール ドット
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 後藤 洋介 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996052149
Publication number (International publication number)：1997246593
Application date： Mar. 08, 1996
Publication date： Sep. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】 外部量子効率を高め、プラスチック光ファイバとの結合効率を70%以上に高めることができる、製造コストを低く抑えた可視光LEDの提供。【解決手段】 GaAs吸光層1の主面上に、n型GaAsバッファ層2、DBRミラー層3、(AlxGa1-x)0.5In0.5Pのn型クラッド層4、活性層5、(AlxGa1-x)0.5In0.5Pのp型クラッド層6、及び(AlxGa1-x)0.5In0.5Pの薄膜層7を、順次成長させ、p型クラッド層6上に薄膜層7を介して、半導体からなる透光性ウェハー8を接合する(xは0.1〜0.3)。透光性ウェハー8の上面の所定の領域に上面電極9を、GaAs吸光層1の対向面にn型コンタクト層11を形成する。透光性ウェハー8の上面の残りの領域及び透光性ウェハー8の側面に、大気中の水分子や酸素の吸着を避け且つ表面反射を抑えるためのパシベーション層10を堆積する。

Claim (excerpt)：

主面とこの主面に対向する対向面とを有するGaAs吸光層(1)と、前記主面上に形成されたn型GaAsバッファ層(2)と、このn型GaAsバッファ層上に形成されたDBR (distributed bragg reflector)ミラー層(3)と、このDBRミラー層上に形成された、(AlxGa1-x)0.5In0.5Pからなるn型クラッド層(4)と、このn型クラッド層上に形成された活性層(5)と、この活性層上に形成された、(AlxGa1-x)0.5In0.5Pからなるp型クラッド層(6)と、このp型クラッド層上に接合された半導体からなる透光性ウェハー(8)と、この透光性ウェハーの上面の所定の領域に形成された上面電極(9または13)と、前記対向面に形成されたn型コンタクト層(11)とを有する面発光型半導体素子(但し、xは0.1以上0.3以下の数を表す)。