Pat
J-GLOBAL ID:200903086593929490

結晶成長用種板の製造方法およびこれによる単結晶の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 石田 敬 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996159032
Publication number (International publication number):1997124393
Application date: May. 30, 1996
Publication date: May. 13, 1997
Summary:
【要約】【課題】 完成度の高い単結晶性を高品質大型単結晶を製造するための結晶成長用種板の製造方法とこれを用いた大型単結晶の製造方法を提供すること。【解決手段】 (a)結晶学的配向性を有する複数個の単結晶ウエファからなる種板上に、幾何学的パターンを有するマスキング層を形成させる工程と、(b)該種板の表面を選択的に露出させるためのエッチング工程と、(c)種板材料と該マスキング層の残留部分からなる複数個の核生成構造を形成するために該種既科学的パターン露出表面をエッチングし、該種板から突出させる工程と、(d)単結晶成長用の複数の核生成構造を有する種板を回収する工程からなる結晶成長用種板の製造方法とこれを用いたCVD法による大型単結晶の製造方法である。
Claim (excerpt):
単結晶成長用種板を得るに際して、(a) 結晶学的配向性を有する複数個の単結晶ウエファからなる種板上に、幾何学的パターンを有するマスキング層を析出させる工程と、(b) 該種板の表面を選択的に露出させるためのエッチング工程と、(c) 種板材料と該マスキング層の残留部分からなる複数個の核生成構造を形成するために該種板の幾何学的パターン露出表面をエッチングし、該種板から突出させる工程と、(d) 単結晶成長用の複数の核生成組織を有する種板を回収する工程と、からなることを特徴とする結晶成長用種板の製造方法。
IPC (4):
C30B 25/18 ,  C30B 25/20 ,  C30B 33/08 ,  H01L 21/205
FI (4):
C30B 25/18 ,  C30B 25/20 ,  C30B 33/08 ,  H01L 21/205
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
  • 特開平4-170392

Return to Previous Page