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J-GLOBAL ID：200903086597285741

薄膜半導体装置及びその作製方法

Inventor： 山崎 舜平 ,  張 宏勇 ,  桑原 秀明
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996291179
Publication number (International publication number)：1998116993
Application date： Oct. 14, 1996
Publication date： May. 06, 1998
Summary：

【要約】【課題】従来の技術は、LDD領域を形成する際にゲ-ト電極の側壁表面に緻密な陽極酸化膜を形成しており、チャネル長が短くなったとき(例えば、0.3〜2μm)に、膜厚の制御が困難であり、再現性も悪く、生産性が悪かった。また、エッチャントとして、環境に害を与えるクロムを含有した酸が用いられていた。【解決手段】本発明は、全ての工程において、クロムを含有する酸を全く使用せずに、膜質の異なる陽極酸化膜を2種類以上用い、2種類以上の薬液を用いることで、各々別々の厚さの陽極酸化膜322、320を形成する。LDD領域311を形成する際にゲ-ト電極の側壁内面に陽極酸化を行なう。

Claim (excerpt)：

絶縁表面を有する基板上に、ソ-ス領域、ドレイン領域と、前記ソ-ス領域とドレイン領域の間に形成されているチャネル領域と、前記ソ-ス領域とチャネル領域の間および前記ドレイン領域とチャネル領域の間に低不純物領域が形成され、少なくとも前記チャネル領域上に形成されたゲ-ト絶縁膜と、前記チャネル領域の上方において前記ゲ-ト絶縁膜上に形成されたゲ-ト電極と、前記ゲ-ト電極の側壁に該電極を酸化することによって形成される側壁酸化膜と、前記ゲ-ト電極の上部表面に該電極を酸化することによって形成される上部酸化膜と、を具備した薄膜半導体装置において、前記上部酸化膜の膜厚は前記側壁酸化膜の膜厚と比較して薄いことと、前記側壁酸化膜の外側に前記低不純物領域が伸びていることを特徴とする薄膜半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4)：

H01L 29/78 616 L ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 617 A ,  H01L 29/78 617 W