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J-GLOBAL ID：200903086598780282

磁気ヘッド

Inventor： 小林 俊雄 ,  北田 正弘 ,  由比藤 勇 ,  清水 昇 ,  小山 直樹
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002340280
Publication number (International publication number)：2003208706
Application date： May. 18, 1992
Publication date： Jul. 25, 2003
Summary：

【要約】【課題】 素子形成プロセスを簡略し得る構造で、バルクハウゼンノイズの発生を防止し、かつ、磁気抵抗効果素子層及びその上に積層される記録ヘッドに段差が生じること、及び応力が集中することを抑制し、薄い磁気抵抗層が硬磁性体層の段差部で破断されることを防止すること。【解決手段】 中央部感磁領域102と端部磁区制御領域103を有する強磁性体材料の薄膜からなる磁気抵抗効果膜3と、端部磁区制御領域103に重なって直接接する硬磁性体材料の薄膜からなる硬磁性体層1を設け、磁気抵抗効果膜3の中央部感磁領域102を単磁区状態に維持するために、磁界および強磁性交換結合による縦方向磁気バイアスを発生させることを特徴とする磁気抵抗効果再生ヘッド。

Claim (excerpt)：

中央部感磁領域と端部磁区制御領域を有する強磁性体材料の薄膜からなる磁気抵抗効果膜と、上記端部磁区制御領域に重なって直接接する硬磁性体材料の薄膜からなる硬磁性体層を設け、上記磁気抵抗効果膜の中央部感磁領域を単磁区状態に維持するために、磁界および強磁性交換結合による縦方向磁気バイアスを発生させることを特徴とする磁気抵抗効果再生ヘッド。

F-Term (6)：

5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034BA12 ,  5D034BB08 ,  5D034CA04 ,  5D034CA08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭60-059518
  
• 特開昭64-001112
  
• 特開平3-108385
  
• 特開昭62-040610
  
• 特開昭61-255525