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J-GLOBAL ID：200903086613061743

半導体素子及びその製造方法

Inventor：
白石 尚寛

About 白石 尚寛


Applicant, Patent owner：
ミツミ電機株式会社

About ミツミ電機株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003426161
Publication number (International publication number)：2005183867
Application date： Dec. 24, 2003
Publication date： Jul. 07, 2005
Summary：
【課題】 少ない工程数でオフセット領域(低濃度拡散領域)を形成する。【解決手段】 シリコン基板上に形成されたゲート領域1と、ソース領域2、ドレイン領域3とを備える半導体素子である。ソース領域2、ドレイン領域3の上部酸化膜4に酸化を促進する原子が注入され、不純物の偏析による低濃度拡散領域がオフセット領域2a、3aとして形成されている。Si-SiO2界面においては、不純物の偏析係数、不純物のSi及びSiO2中の拡散速度の大小等によって、酸化時に基板表面近くで不純物の濃度分布が変化する。例えばホウ素の場合、偏析係数が小さいので、酸化によって表面近くの濃度が減少する。この特性を利用してオフセット領域を形成する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
シリコン基板上に形成されたゲート領域と、ソース/ドレイン領域とを備える半導体素子であって、 前記ソース/ドレイン領域の上部酸化膜に酸化を促進する原子が注入され、不純物の偏析による低濃度拡散領域がオフセット領域として形成されていることを特徴とする半導体素子。
IPC (3)：
H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L29/78
FI (2)：
H01L29/78 301L ,  H01L21/265 J
F-Term (17)：
5F140AA00 ,  5F140AA40 ,  5F140AC01 ,  5F140BA01 ,  5F140BD18 ,  5F140BE15 ,  5F140BE16 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BH15 ,  5F140BH22 ,  5F140BK01 ,  5F140BK13 ,  5F140BK20 ,  5F140BK22 ,  5F140CB01 ,  5F140CB08
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (5)
  • 特開昭63-261755
  • 特開平3-139826
  • MOS型半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-146631   Applicant：ソニー株式会社
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