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J-GLOBAL ID：200903086635926080

半導体波長変換素子

Inventor： 池田 正宏 ,  三上 修 ,  八坂 洋 ,  永沼 充 ,  上原 信吾 ,  車田 克彦
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 谷 義一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991289898
Publication number (International publication number)：1993005911
Application date： Nov. 06, 1991
Publication date： Jan. 14, 1993
Summary：

【要約】【目的】 アイソレータの不要な半導体波長変換素子を提供する。【構成】 双安定型波長変換素子12の入射側には、出射側の狭帯域の分布反射型ミラー部5よりも反射率が非常に高く、かつ広帯域の分布反射器11を配設し、入射信号光としてTM偏波の入力光を用い、この入力光に直交するTE偏波の出力光が出射する出射側の狭帯域の分布反射型ミラー部5をチューニングすることにより波長変換を行う。入射信号光と出力信号光とは互いに直交する偏波状態にあるので、一方向性デバイスとして構成することができるので、アイソレータが不要であり、また、入射側の分布反射器11は光集積回路化に適した構成であるので、本発明半導体波長変換素子は半導体基板1上に単独あるいは他の光素子と共に集積化するのに好適である。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、第1クラッド層を介して、可飽和吸収領域と、利得領域と、変換光波長を選択する回折格子を含んで構成された分布反射型ミラー部とを配置し、前記可飽和吸収領域、前記利得領域および前記分布反射型ミラー部の上に、第2クラッド層を介して、前記可飽和吸収領域、前記利得領域および前記分布反射型ミラー部に対応し、かつ互いに分離して第1、第2および第3電極を配置した半導体波長変換素子において、前記可飽和吸収領域の光入射側に、前記分布反射型ミラー部の回折格子の結合係数よりも大きい結合係数の回折格子を持ち、第1偏波状態の入射信号光を透過する分布反射器を配設し、前記分布反射型ミラー部から前記第1偏波状態と直交する第2偏波状態の変換光を取り出し、かつその変換光の波長を前記第3電極からの注入電流により制御するようにしたことを特徴とする半導体波長変換素子。

IPC (4)：

G02F 1/35 ,  H01L 31/14 ,  H01S 3/1055 ,  H01S 3/18