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J-GLOBAL ID：200903086636611589

高周波プラズマCVD装置

Inventor： 村田 正義 ,  竹内 良昭
Applicant, Patent owner： 三菱重工業株式会社
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992158307
Publication number (International publication number)：1994005522
Application date： Jun. 17, 1992
Publication date： Jan. 14, 1994
Summary：

【要約】【目的】大面積の基板上に均一に膜質の良好な薄膜を形成できる高周波プラズマCVD装置を提供する。【構成】反応容器16内に、カソード電極11と、カソード電極11の側面および裏面を囲うアースシールド13と、カソード電極11に対向して設けられ基板14が設置されるヒーター内蔵アノード電極13とを有するとともに、反応ガス供給管15および反応ガス排気管20、21とを有し、高周波電源からインピーダンス整合器を介して電極間に高周波電力を供給することにより反応容器16内でプラズマを発生させる高周波プラズマCVD装置において、カソード電極11の表面に波状の凹凸101を設けた構成を有する。

Claim (excerpt)：

反応容器内に、カソード電極と、前記カソード電極の側面および裏面を囲うアースシールドと、前記カソード電極に対向して設けられ基板が設置されるヒーター内蔵アノード電極とを有するとともに、反応ガス供給管および反応ガス排気管とを有し、高周波電源からインピーダンス整合器を介して前記電極間に高周波電力を供給することにより前記反応容器内でプラズマを発生させる高周波プラズマCVD装置において、前記カソード電極の表面に波状の凹凸を設けたことを特徴とする高周波プラズマCVD装置。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/31