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J-GLOBAL ID：200903086638967739

立体電極外観検査装置

Inventor： 塚原 博之 ,  布施 貴史 ,  後藤 善朗 ,  西山 陽二 ,  高橋 文之 ,  安藤 護俊 ,  大嶋 美隆
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993037015
Publication number (International publication number)：1994167322
Application date： Feb. 25, 1993
Publication date： Jun. 14, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明は基板上に形成されたバンプ電極の形状を検査する立体電極外観検査装置に関し、バンプ電極の高さ、寸法、表面光沢を自動的かつ高速に高精度で検査することを目的とする。【構成】 バンプ電極12が形成されたLSIチップ11上に、ポリゴンミラー45等によってライン状のレーザ光を照射し、その反射光をPSD50により受光する。そして、高さ検査手段51において、バンプ高さを算出し、位置補正を行う。

Claim (excerpt)：

基板(11)上に形成された二次元配列のバンプ電極(12)に光源(43)より光を照射し、その反射光を受光して該バンプ電極(12)の外観を検査する立体電極外観検査装置において、前記光源(43)より出射された光を、前記基板(11)に対してライン状に走査する光走査手段(45〜47)と、該走査光による該基板(11)における前記バンプ電極(12)からの反射光を受光する検知手段(49,50)と、該検知手段(49,50)からの検知信号により該バンプ電極(12)の高さを算出すると共に、前記光走査手段(45〜47)による照射タイミングより位置補正してバンプ高さの検査を行う高さ検査手段(51)と、を有することを特徴とする立体電極外観検査装置。

IPC (3)：

G01B 11/24 ,  G02B 26/10 ,  H01L 21/321