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J-GLOBAL ID：200903086646263023
スイッチング制御型電源回路
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
西野 卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993270781
Publication number (International publication number)：1995111779
Application date： Oct. 28, 1993
Publication date： Apr. 25, 1995
Summary：
【要約】【目的】 スイッチング制御型電源回路において、FETのスイッチングロス及びノイズを減少させること。【構成】 ドライブ巻線LDに発生する電圧は、抵抗R5、コンデンサC3からなる積分回路を介してトランジスタQ2のベースに供給される。従って、トランジスタQ2のベースに加わる電圧は積分回路の時定数に従って増加する電圧となり、このためFETの導通度も漸次増加するのでドレイン電圧も漸次減少する。これによって、コンデンサC4から放電される電流も従来程急峻にはならず、この結果放電電流はドレイン電圧が降下してから放電することになる。よって、ドレイン電流とドレイン電圧波形との時間的重なりを可及的に少なくすることができるので、スイッチングロスを減少させることができる。また、メインスイッチングトランジスタにスナバ回路を形成することにより、出力波形のリンギングやスイッチオン時の放電電流を低減せしめるようにした。
Claim (excerpt)：
メインスイッチング素子としての電界効果型トランジスタと、前記電界効果型トランジスタのドレインと、トランスの一次側メイン巻線間に接続されたインダクタンスおよび前記メイン巻線と前記電界効果型トランジスタのソースの間に接続されたコンデンサからなる共振回路と、前記電界効果型トランジスタを駆動するためのドライブトランジスタと、前記トランスのドライブ巻線と前記ドライブトランジスタの間に接続され、前記ドライブ巻線で発生する電圧を積分し、前記ドライブトランジスタに供給する積分回路と、からなるスイッチング制御型電源回路。
IPC (3)：
H02M 3/28
, H02M 1/08
, H03K 17/16
Cited by examiner (6)
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