Pat

J-GLOBAL ID：200903086647863873

DLC膜の成膜方法およびDLC膜成膜装置

Inventor： 高見 芳夫
Applicant, Patent owner： 株式会社島津製作所
Agent (1)： 永井 冬紀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999355710
Publication number (International publication number)：2001172765
Application date： Dec. 15, 1999
Publication date： Jun. 26, 2001
Summary：

【要約】【課題】 インラインで膜質の評価を行うことができるDLC膜の成膜方法の提供。【解決手段】 炭化水素ガスを放電させてプラズマ状態とした成膜ガス中で、基板1上に成膜ガス中の炭素を堆積してDLC膜を成膜する際に、成膜ガス中のH2濃度を測定しつつDLC膜を形成することによりDLC膜のH2濃度を間接的に評価することができる。その結果、DLC膜の膜質の評価をインラインで行うことが可能となり、品質向上および生産性の向上を図ることができる。H2濃度の測定には質量分析法または発光分析法等が用いられる。

Claim (excerpt)：

炭化水素ガスを放電させてプラズマ状態とし、そのプラズマ状態のガス中の炭素を基板上に堆積してDLC膜を形成するDLC膜の成膜方法において、前記ガス中のH2濃度を測定しつつ、前記DLC膜の成膜を行うことを特徴とするDLC膜の成膜方法。

F-Term (10)：

4K030AA09 ,  4K030AA17 ,  4K030BA28 ,  4K030FA02 ,  4K030HA16 ,  4K030JA06 ,  4K030KA30 ,  4K030KA39 ,  4K030LA02 ,  4K030LA20