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J-GLOBAL ID：200903086656456024

酸化物薄膜の製造方法

Inventor： 森山 弘朗 ,  梨本 恵一
Applicant, Patent owner： 富士ゼロックス株式会社
Agent (1)： 渡部 剛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994134851
Publication number (International publication number)：1995315810
Application date： May. 26, 1994
Publication date： Dec. 05, 1995
Summary：

【要約】【目的】 有機金属化合物を用いて基板上に薄膜コンデンサーおよびキャパシター、圧電体、焦電体等に利用可能な、均一で化学的量論性に優れた酸化物薄膜を低温で安定して製造する方法を提供する。【構成】 一般式:ABO3 (AはIA族、IIA族、III A族、IVB族およびVB族から選択された元素、BはIVA族およびVA族から選択された元素)で示される酸化物薄膜の製造方法において、元素:AおよびBを含む複合金属アルコキシド化合物の有機溶媒溶液に、該複合金属アルコキシド化合物と水のモル比が1:0.5ないし1:3となる量の水、および該複合金属アルコキシド化合物と無機触媒または酢酸のモル比が1:0.15ないし1:0.5となる量の無機触媒または酢酸を加え、加水分解した後、基板上に塗布して薄膜を形成し、次いで熱処理することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

一般式:ABO3 (AはIA族、IIA族、III A族、IVB族およびVB族から選択された元素、BはIVA族およびVA族から選択された元素)で示される酸化物薄膜の製造方法において、元素:AおよびBを含む複合金属アルコキシド化合物の有機溶媒溶液に、該複合金属アルコキシド化合物と水のモル比が1:0.5ないし1:3となる量の水、および該複合金属アルコキシド化合物と無機触媒または酢酸のモル比が1:0.15ないし1:0.5となる量の無機触媒または酢酸を加え、加水分解した後、基板上に塗布して薄膜を形成し、次いで熱処理することを特徴とする酸化物薄膜の製造方法。

IPC (4)：

C01B 13/32 ,  C01G 23/00 ,  C01G 33/00 ,  H01B 3/00