Pat

J-GLOBAL ID：200903086657397862

レーザーアニール方法およびレーザーアニール装置

Inventor： 山崎 舜平 ,  楠本 直人 ,  田中 幸一郎
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996212060
Publication number (International publication number)：1997129573
Application date： Jul. 22, 1996
Publication date： May. 16, 1997
Summary：

【要約】【目的】 レーザー光の照射による半導体に対するアニール効果を高める。【構成】 台形状のビームプロファイルを有したレーザー光を相対的に1方向に走査しながら照射することによって、半導体に対するアニール効果を高める。特にL1、L2、L3の関係を規定することにより、その効果を高いものとする。

Claim (excerpt)：

パルスレーザーを光源とした線状レーザービームを、半導体被膜よりなる被照射面に照射するに際し、線状レーザービームの焦点における線幅方向のエネルギー分布は、最大エネルギーを1として、エネルギーが0. 95であるところのビーム幅をL1とし、エネルギーが0. 70であるところのビーム幅を、L1+L2(線幅の一方)+L3(線幅の他方)としたとき、不等式0. 5L1≦L2≦L1、0.5L1≦L3≦L1を満たし、焦点深度が±約400μm以内であることを特徴とするレーザーアニール方法。

IPC (9)：

H01L 21/268 ,  G02B 3/00 ,  G02B 3/06 ,  G02B 19/00 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01S 3/0979

FI (8)：

H01L 21/268 Z ,  G02B 3/00 A ,  G02B 3/06 ,  G02B 19/00 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12 R ,  H01L 29/78 627 G ,  H01S 3/097 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭62-142370
  
• 特開平3-286518
  
• 特開昭64-076715