レーザーアニール方法およびレーザーアニール装置

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996212060
Publication number (International publication number)：1997129573
Application date： Jul. 22, 1996
Publication date： May. 16, 1997
Summary：

【要約】【目的】レーザー光の照射による半導体に対するアニール効果を高める。【構成】台形状のビームプロファイルを有したレーザー光を相対的に1方向に走査しながら照射することによって、半導体に対するアニール効果を高める。特にL1、L2、L3の関係を規定することにより、その効果を高いものとする。

Claim (excerpt)：

パルスレーザーを光源とした線状レーザービームを、半導体被膜よりなる被照射面に照射するに際し、線状レーザービームの焦点における線幅方向のエネルギー分布は、最大エネルギーを1として、エネルギーが0. 95であるところのビーム幅をL1とし、エネルギーが0. 70であるところのビーム幅を、L1+L2(線幅の一方)+L3(線幅の他方)としたとき、不等式0. 5L1≦L2≦L1、0.5L1≦L3≦L1を満たし、焦点深度が±約400μm以内であることを特徴とするレーザーアニール方法。

IPC (9)：

H01L 21/268 , G02B 3/00 , G02B 3/06 , G02B 19/00 , H01L 21/20 , H01L 27/12 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01S 3/0979

FI (8)：

H01L 21/268 Z , G02B 3/00 A , G02B 3/06 , G02B 19/00 , H01L 21/20 , H01L 27/12 R , H01L 29/78 627 G , H01S 3/097 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開昭62-142370
特開平3-286518
特開昭64-076715

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