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J-GLOBAL ID：200903086659453395

半導体熱電素子及び半導体熱電モジュール

Inventor： 丹治 雍典 ,  佐藤 利三郎 ,  久保木 實 ,  増本 健 ,  金子 武次郎 ,  中川 康昭
Applicant, Patent owner： 株式会社トーキン ,  佐藤 利三郎 ,  増本 健
Agent (1)： 後藤 洋介 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995058680
Publication number (International publication number)：1996255935
Application date： Mar. 17, 1995
Publication date： Oct. 01, 1996
Summary：

【要約】【目的】 熱剪断応力による素子破壊の問題を解決することを目的とする。【構成】 螺子孔12aを有する金属セグメント14上にN型熱電素子11n及びP型熱電素子11pを接合し、N型熱電素子11n及びP型熱電素子11pの上に螺子孔12aを有する金属ブロック12を接合することによって形成される。N型熱電素子11n及びP型熱電素子11pは金属セグメント14に固定螺子15によって固定される。

Claim (excerpt)：

螺子孔を有する第1の金属セグメント上にN型熱電素子及びP型熱電素子を接合し、前記N型熱電素子及び前記P型熱電素子の上に螺子孔を有する金属ブロックを接合して形成されてなる半導体熱電素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開平4-114485