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J-GLOBAL ID：200903086661538942

位相シフトマスク及びその製造方法並びにその修正方法

Inventor：
安里 直生

About 安里 直生


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 宮越 典明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993323132
Publication number (International publication number)：1995152143
Application date： Nov. 29, 1993
Publication date： Jun. 16, 1995
Summary：
【要約】【目的】 露光特性上の問題のないシフタ-上置き型の位相シフトマスクの構造において、エッチングストッパ-層のダメ-ジを防止し、マスク面内の透過率分布を均一にすることができる位相シフトマスク及びその製造方法を提供すること並びに欠陥の数が多い場合やマスク全面で異常が生じている場合にも修正することができる位相シフタ-層の欠陥修正方法を提供すること。【構成】 透明基板1上に遮光層2を形成し、これを修正した後、エッチングストッパ-層3及び位相シフタ-層4を形成した位相シフトマスクであり、遮光層2の形成及び修正時にエッチングストッパ-層3にダメ-ジを与えることがなく、マスク面内の透過率を均一にすることができる。欠陥のある位相シフタ-層及びエッチングストッパ-層を除去した後、再びエッチングストッパ-層3及び位相シフタ-層4を形成することで、欠陥の数が多い場合やマスク全面で異常が生じている場合に修正することができる位相シフタ-層の欠陥を修正する。
Claim (excerpt)：
透明基板上に遮光材料による所定の遮光パタ-ンと透明材料による位相シフタ-層を有する位相シフトマスクにおいて、前記透明基板及び前記遮光パタ-ンの上に前記位相シフタ-層のエッチングストッパ-層を有することを特徴とする位相シフトマスク。
IPC (2)：
G03F 1/08 ,  H01L 21/027
FI (3)：
H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 502 W ,  H01L 21/30 528
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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