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J-GLOBAL ID：200903086665745454

積層型コンデンサ

Inventor： 金内 明宏 ,  藤岡 芳博
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996078006
Publication number (International publication number)：1997270366
Application date： Mar. 29, 1996
Publication date： Oct. 14, 1997
Summary：

【要約】【課題】高い比誘電率と優れた絶縁性を有し、かつ静電容量の温度変化率が広い温度範囲にわたって小さく、誘電正接が小さく、高温負荷寿命が長い極めて経済性の高い積層型コンデンサを提供する。【解決手段】BaTiO3 を主成分とし、Si、希土類元素およびアルカリ土類金属元素を含有する誘電体層と、Niを主成分とする内部電極層とを交互に積層してなる積層型コンデンサであって、前記誘電体層が、BaTiO3 を主成分とする結晶粒子と、該結晶粒子間の粒界とからなり、前記誘電体層の破断面における全粒界個数のうち80%以上の粒界が、Si、希土類元素、アルカリ土類金属元素および酸素を含む非晶質であることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

BaTiO3 を主成分とし、Si、希土類元素およびアルカリ土類金属元素を含有する誘電体層と、Niを主成分とする内部電極層とを交互に積層してなる積層型コンデンサであって、前記誘電体層が、BaTiO3 を主成分とする結晶粒子と、該結晶粒子間の粒界とからなり、前記誘電体層の破断面における全粒界個数のうち80%以上の粒界が、Si、希土類元素、アルカリ土類金属元素および酸素を含む非晶質からなることを特徴とする積層型コンデンサ。

IPC (6)：

H01G 4/30 301 ,  C04B 35/46 ,  H01B 3/12 303 ,  H01G 4/12 322 ,  H01G 4/12 349 ,  H01G 4/12 358

FI (6)：

H01G 4/30 301 E ,  H01B 3/12 303 ,  H01G 4/12 322 ,  H01G 4/12 349 ,  H01G 4/12 358 ,  C04B 35/46 D

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 積層型セラミックチップコンデンサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-086679   Applicant：ティーディーケイ株式会社

Cited by examiner (1)

• 積層型セラミックチップコンデンサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-086679   Applicant：ティーディーケイ株式会社