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J-GLOBAL ID:200903086679584950
多層フィルムの応力により生じる光学素子の変形を調節する方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2000532776
Publication number (International publication number):2002504715
Application date: Feb. 17, 1999
Publication date: Feb. 12, 2002
Summary:
【要約】多層フィルムの応力を打ち消す為に、基板と多層フィルムの間に設ける緩衝層。十分な大きさであって、符号が反対の応力をもつ緩衝層を設けると、多層フィルムの応力による基板の変形が減少するか、もしくは相殺される。基板と多層フィルムの間に緩衝層を設けることにより、調整可能なゼロに近い正味応力が得られ、その結果、極端紫外(EUV)リソグラフィーツール用の光学素子のような基板が、殆ど、もしくは全く変形しなくなる。例えば、Mo/Si多層フィルム、及びMo/Be多層フィルムと、それらの基板との間に緩衝層を設けて応力を著しく低下させた。この場合、応力の大きさは100MPa未満であり、またそれぞれ13.4nm、及び11.4nmで、近垂直入射(5°)反射率が60%を越える。本発明は、結晶性の物質、及び非結晶性の物質に適用可能であり、しかも周囲温度で用いることができる。
Claim (excerpt):
反射率を5%より多く低下させずに多層フィルムの応力の大きさを調節するか、または小さくするための手段であって、多層フィルムと基板の中間に設けられた緩衝層からなる手段、を含んでなる、高反射率物質の多層フィルム及び基板。
IPC (3):
G02B 5/28
, G02B 5/26
, G21K 1/06
FI (4):
G02B 5/28
, G02B 5/26
, G21K 1/06 B
, G21K 1/06 C
F-Term (8):
2H048GA07
, 2H048GA09
, 2H048GA18
, 2H048GA19
, 2H048GA32
, 2H048GA33
, 2H048GA60
, 2H048GA61
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