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J-GLOBAL ID：200903086691119758
半導体薄膜磁気抵抗素子およびその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992107370
Publication number (International publication number)：1993304325
Application date： Apr. 27, 1992
Publication date： Nov. 16, 1993
Summary：
【要約】【目的】 自動車用ギヤセンサ等の高温用途において、十分な信頼性を有する半導体薄膜磁気抵抗素子を提供する。【構成】 絶縁性のガラス基板1上にInSbからなる半導体層2を設け、この半導体層2上にクロムからなる短絡電極3と銅または金からなる端子電極4とを設けてなる構成とすることにより、高温下においても半導体層2と反応し難く低接触抵抗値の安定な短絡電極3が得られて高温用途に適した半導体薄膜磁気抵抗素子が実現できる。
Claim (excerpt)：
絶縁性基板と、この絶縁性基板上に形成したアンチモン化インジウムからなる半導体層と、この半導体層上に形成したクロムからなる短絡電極と、前記絶縁性基板または前記半導体層に設けた端子電極とを備えた半導体薄膜磁気抵抗素子。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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