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J-GLOBAL ID：200903086691611075

プラズマ処理方法及びその装置

Inventor： 斉藤 裕 ,  鈴木 康道 ,  佐野 秀造 ,  清水 保 ,  相内 進
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992034731
Publication number (International publication number)：1995235396
Application date： Feb. 21, 1992
Publication date： Sep. 05, 1995
Summary：

【要約】【目的】基板と基板に対向する位置に設けた電極との間に、広い領域に渡って高密度のプラズマが発生可能なプラズマ処理装置を提供する。【構成】マイクロ波を用いた放電によりプラズマを発生させ、プラズマ発生部及び基板処理部に磁気装置を用い、発生したプラズマを基板と基板に対向する位置に設けた電極との間で高密度かつ大面積に保持するようにした。【効果】基板を高速に且つ低ダメ-ジで処理でき、生産効率及び材料使用効率及び使用電力効率の向上と素子へのダメージの低減効果がある。

Claim (excerpt)：

マイクロ波発生源で発生したマイクロ波を、基板と対向する位置に設けたマイクロ波導入窓から導入して処理室内にプラズマを発生させ、前記基板上に形成したカスプ磁場で前記プラズマを閉じ込めることにより前記基板に対して処理を行なうことを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (7)：

H05H 1/46 ,  C23C 14/35 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平3-094524
  
• 特開昭61-194174
  
• 特開昭61-194174
  
• 特公平7-013295