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J-GLOBAL ID：200903086693492901

基板処理装置、基板処理方法及び圧力制御方法

Inventor： 余川 孝士
Applicant, Patent owner： 株式会社日立国際電気
Agent (1)： 三好 祥二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000067034
Publication number (International publication number)：2001257164
Application date： Mar. 10, 2000
Publication date： Sep. 21, 2001
Summary：

【要約】【課題】真空容器内の材料ガスの分布を均一にし、膜質及び膜厚共にバラツキの少ない薄膜を堆積する等、各種の基板処理を均一に行う。【解決手段】真空容器1と、該真空容器に材料ガスを供給するガス供給手段12と、前記真空容器内の圧力を検知する圧力検知手段35と、前記真空容器に接続された複数の排気経路38,39と、該排気経路に接続された排気手段と、複数の前記排気経路の前記排気手段と前記真空容器との間に設置された排気コンダクタンス調整手段41,44,47,48と、複数の前記排気経路の前記排気コンダクタンス調整手段と前記排気手段との間に設置された圧力検知手段45,49とを有する基板処理装置であって、前記排気コンダクタンス調整手段により複数の前記排気経路の各排気ガス量が同一になる様にして前記真空容器内の圧力を制御する。

Claim (excerpt)：

真空容器と、該真空容器に材料ガスを供給するガス供給手段と、前記真空容器内の圧力を検知する圧力検知手段と、前記真空容器に接続された複数の排気経路と、該排気経路に接続された排気手段と、複数の前記排気経路の前記排気手段と前記真空容器との間に設置された排気コンダクタンス調整手段と、複数の前記排気経路の前記排気コンダクタンス調整手段と前記排気手段との間に設置された圧力検知手段とを有する基板処理装置であって、前記排気コンダクタンス調整手段により複数の前記排気経路の各排気ガス量が略同一になる様にして前記真空容器内の圧力を制御する様にしたことを特徴とする基板処理装置。

IPC (5)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/22 501 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

FI (5)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/22 501 S ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 C

F-Term (21)：

4K030FA01 ,  4K030HA11 ,  4K030HA15 ,  4K030JA09 ,  4K030KA39 ,  4K030KA41 ,  5F004AA01 ,  5F004AA13 ,  5F004BA04 ,  5F004BC02 ,  5F004BD04 ,  5F045AA08 ,  5F045BB01 ,  5F045BB14 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EB02 ,  5F045EF20 ,  5F045EG02 ,  5F045EG06 ,  5F045EH14